PMC Flashtec? NVRAM 闪存加速卡

常见问题解答

概要

         PMC Flashtec NVRAM闪存加速卡系列是一款基于当今市场上最为先进的NVMe控制器的PCI-Express? NVRAM解决方案。该系列产品设立了一个崭新的存储层级，能加速关键型应用。

         SSD解决方案不断在多级存储空间中的高性能层级取代了传统的HDD。但在延迟、耐久度及高可用性等各方面，还存在着内存与存储层级之间巨大的性能鸿沟。由于应用的需求随着云服务的速度提升而持续加速攀升，依赖易失性内存来实现所需的性能导致的结果是在系统故障时可能发生应用所需的数据丢失。

        我们需要一个崭新的存储层级别，来为关键任务型应用提供必要的数据安全保护，同时也为应用所需性能提供保证，而无需在数据保护、可靠性及可用性等方面作出牺牲。FlashtecNVRAM闪存加速卡系列恰恰满足了这一需求，单卡即可提供超过千万次IOPS及16GB的容量，因而能够满足最严苛的应用需求。

产品及特性

性能指什么？

        NVRAM闪存加速卡在DRAM和PCIe SSD之间建立了一个新存储层级，性能优异、可靠性超高，其特性包括：

• 同时具备DRAM的耐写性能以及NAND的非易失性的特点
• 在直连存储模式下达到逾千万次IOPS；在NVMe块（4KB）模式下达到百万次IOPS——性能比SSD提升10至100倍
• 小于微妙级的延迟

该解决方案针对何种应用而设？

          FlashtecNVRAM闪存加速卡针对的目标是需要高性能及高可靠性的任务关键型应用，其中包括：

?          对时延要求非常高的写缓存

?          64位寻址空间的持久性元数据存储区域

?          横向扩展式集群系统中的持久性共享内存

?          高性能日志或事务提交日志

?          高速缓存重建所需的持久性缓存

?          位于低性能存储层之上的高性能存储层

        随着生态系统的不断演化，未来该系列产品还将集成到许多其他系统当中。

该产品的尺寸如何？

         半高MD2 PCIe插入卡

该产品支持什么模式？

        该系列产品既可以用作直接映射到主机的持久性存储的延展（随机的小型访问可实现千万次IOPS），也可以作为NVMe块设备实现高效DMA交易（4K B持续随机读IOPS超过百万次）

该系列产品何时面世？

        已经为客户提供了样卡进行评估。预计将在2014 Q4后期投入量产。

客户、市场及趋势

 该产品与PCIe SSD或NV-DIMM的区别是什么？

         PMC将DRAM与闪存结合起来，最完美地解决了最关键型应用所需的存储系统的性能要求。闪存本身不具备耐久度，而DRAM本身则对任务关键型数据而言不够可靠。将两者合二为一的结果是实现的性能10~100倍于市面上任何SSD。

        闪存存储设备的局限在于耐久度，从根本上源于其内部的NAND闪存技术的耐久程度——通常编程/擦除次数不会超过10,000次。相比之下，Flashtec NVRAM闪存加速卡采用的DRAM基本上没有耐久度的局限，这正是该产品能够持续提供每秒百万次写入的原因。任何基于NAND闪存的解决方案均无法作到这一点。

        与NV-DIMM技术相比，PMC的Flashtec NVRAM闪存加速卡系列基于业界标准（针对PCIe接口的NVMe标准），因此，从硬件及应用的角度而言，具备易于集成的优点。在DDR总线上，CPU必须要处理每次数据交易的传输。PMC的NVRAM闪存加速卡采用PCIe DMA引擎， CPU不需要再进行数据传送，CPU因此得以从应用处理中解脱出来，最终取得四倍于NV-DIMM的CPU利用率。

其他信息

        请联络FabianTrumper.

        产品网页: http://www.pmcs.com/flashtec

        新闻发布: http://investor.pmcs.com

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