Nand Falsh外围电路：peripheral circuit

1.Nand flash里至少有2个state Machine（controller），即2个主控。

一个主控：负责处理前端事情。

一个主控：负责后端任务处理。

2.DDC：Dynamic Data cache（包括SDC，PDC，TDC，DDC1，DDC2），有的解析为Page buffer，或者sense Amps。

镁光的NAND flash：L94C：单die 8G，L95B：单die 16G

大致的物理结构图：

所以体积：2个L94C颗粒 > 1个L95B颗粒

3.Block Select Circuit

4.Data Path（把数据传送到接口的通路）

5.charge Pump（把外部供给的5V电压--->内部20V）

Bl：bitline又分为ABL（all bitline） SBL（Sheild bitline）

注意：16K的page：会有16384根bitline。

注意：L95B为SBL

1WL下有4个page：even lower page，odd lower page，even upper page，odd upper page

　　phsion emmc颗粒L94C。

open block：没写完的Block

　　a.slc open:写小数据

　　b.Mlc open:写大数据

　　c.slc backup:备份

一般一个颗粒中 bitline会保留一些余量，我们是看不到的。bitline如果坏了，是可以做替换repaire的。

一个颗粒中，Dummy wordline会有2个，最顶上一个和最底下一个。

NVDDR1模式：发cmd时，以clk的上升沿触发

Data Input时：NVDDR1和NVDDR2以DQS为准；Asy模式以WR信号为准

Data output时：Asy模式以RE为准，且在稳定期，发出数据。

VT：阀值电压

VT（ER）< VT（pro） 

program Distrub：会引起如右边的虚线，从而可能导致一次read读取的数据出错，需要read retray，而read retray次数，由你编程决定。

L0是少于0，其它L都是大于0

Write：FC中有电子 0

Erase：FC中无电子 1

注意：阀值电压：VT（ER）<VT（RD）< VT（Wr）

注意：Vpass>VT（write）>VT（Erase）

回流焊：最高温度260度，200度以10S

镁光/记忆：只能保证2次回流焊。

镁光的颗粒，Spec上说3K PEC，实际可达到5K~7K

东芝的颗粒，Spec上3K，那就3K。

one pass program：电压控制比较难

two pass program：2,8原理。

 判断V（read）是P/E状态：

（1）：先充电bitline===》Bl一个高电压VD。

（2）：其它三极管加Vpass电压。

（3）：给V(read)加0

状态图：

NAND flash学习所获----（Zac）