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一 关于NORFLASH的片内执行程序:

  NORFLASH适合片内执行主要是符合了3个特点:读速度快(CPU的取指令)、线性存储、位交换概率小(这两条保证要执行的代码区是连续的准确的)。因为可片内执行,所以省去CPU取指令的复制和解压,所以体积可以做的很小。NANDFLASH只保证BLOCK0是好的,它只是不适合而不是不能片内执行。http://blog.chinaunix.net/uid-26404697-id-3152290.html

二 RAM与ROM:

2.1RAM:SRAM(静态RAM):速度快成本高用在特殊场合;

2.2动态RAM:DRAM:速度比静态RAM慢,数据保留的时间短(需要动态刷新),利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息所以可以大规模集成,操作时需要刷新)。DDRAM:DRAM的改进,每个时钟周期可读写2次提高了速度。计算机的内存指的是DDRAM,存储是0还是1取决于当前电容是否有电(大于1/2位1),动态RAM需要以一定的时钟速度进行扫描刷新:对大于1/2的充电,小于1/2的放电。

2.3ROM:用来存放程序的,以前主要是EEPROM.

三FLASH:

即是闪存,包括NANDFLASH和NORFLASH。兼容了EEPROM和RAM的特点。存储代码BOOTLOADER或闪存。操作前需要先搽除(以SECTION为单位),写可以以字节为单位。

3.1NANDFLASH:东芝技术,IO操作,比较复杂,最好自带驱动,接口不直接挂在总线上,需要复杂的操作才能实现(控制 数据命令操作)。

3.2NORFLASH:intel技术,SRAM接口。

四eeprom:

操作以字节为单位。

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