Hi3518E的裸板烧写fastboot是不能像HI3531那样，可以通过FB直接烧写。遵循ARM9的烧写流程。其中一般u-boot的烧写流程可分为几类：第一:通过编程器芯片直接烧写；第二通过RVDS来烧写（海思官方原版的方式）；第三通过j-link烧写。这三种方式中，前两种都是很麻烦的事情，需要编程支持比较贵。第二种价格就更加不菲。第三种方式是一般嵌入式工程师能想到也很容易能得到的方式。下面介绍j-link烧写流程，以下演示芯片为海思的HI3518E芯片。

第一、连接j-link打印对应的j-link信息。如果连接成功打印如下信息：

第二、初始化内存，这里需要内存初始化脚本。下面是我实现的HI3518E的内存初始化脚本。全部拷贝后黏贴在j-link commander栏中执行后的结果如下：

w4 0x20050014  0x0fff8000
w4 0x20030000  0x11000000
w4 0x20030004  0x0068306E
W4 0x20030008  0x12000000
W4 0x2003000c  0x007C2063
W4 0x20030010  0x19000000
W4 0x20030014  0x00682064
W4 0x20030020  0x1B000000
W4 0x20030024  0x007C40E1
W4 0x20030028  0x00000010
Sleep 1000
mem32  0x200300e8	1
Sleep 1000
W4 0x10000004  0xaaa
W4 0x20050000  0x214
Sleep 1000
mem32 0x20050000 1
Sleep 1000
Sleep 1000
W4 0x2011001c  0x80000500
W4 0x20110020  0x784
W4 0x20110058  0x6330a000
W4 0x2011002c  0x22
W4 0x20110040  0x80000000
W4 0x20110050  0x33440d0a
W4 0x20110054  0xff635616
W4 0x2011005c  0xffdff0f2
W4 0x201100ac  0x3000001
W4 0x201100f4  0x1
W4 0x20110004  0x0
Sleep 1000
W4 0x20120404  0x80000000
Sleep 2000
W4 0x20120430  0x2
W4 0x20120408  0x01842202
W4 0x20120418  0x220055
W4 0x2012041c  0x5053882
W4 0x20120420  0x3233881
W4 0x2012042c  0xf200001e
W4 0x20120434  0x3092668E
W4 0x20120438  0x00400098
W4 0x2012043c  0x1001aa00
W4 0x20120584  0x4b
W4 0x20120440  0x0a63
W4 0x20120444  0x4
W4 0x20120448  0x0
W4 0x2012044C  0x0
W4 0x201205c0  0xe81
W4 0x20120600  0xe81
W4 0x20120404  0xff
Sleep 2000
W4 0x20110058  0x6330a031
W4 0x20120408  0x01842200
loadbin d:\u-boot-200MHZ.bin 0x82000000
setpc 0x82000000
go

执行结果：

第四步、执行go命令后在securCRT上看到的结果为：

第五步，进入u-boot后，下面就可使用sf命令对Flash进行烧写了。这样就完全启动了。如果有什么问题可以给我留言。一般烧写都没有问题。

HI3518E用J-link烧写裸板fastboot u-boot流程