SDR SDRAM控制器设计

 

1sdram控制器概述

1.1       sdram控制器简介

该控制器为SDR SDRAM操作提供一个简单的接口，使得读写SDRAM像读写普通FIFO或者SRAM一样简单。该控制器具有如下特性：

l  读写时钟：100Mhz—133Mhz      

l  读写端口：两个独立的写端口和两个独立的读端口

l  Burst length：1，2，4，8

l  CAS latency：2，3

l  地址宽、数据、FIFO深度参数化配置

l  缓存FIFO采用RTL级描述，方便移植

l  采样Verilog HDL语言描述，方便移植

 

1.2       sdram简介

（略）

 

2sdram控制器应用说明

2.1       端口列表

 

端口连接图如下

 

2.2       接口操作时序

2.2.1    写操作

首先设置起始地址，然后往FIFO里面写数据即可。控制器会自动帮你完成接下来的一切。

 

设置起始地址时序图

向 wr1 FIFO写入数据时序图

 

写操作端口仿真波形图

上图中，在wr2_load有效之后，wr2_addr_cnt载入起始地址，即w0x40_0100；BL=4，所以每完成一次Burst Write，wr1_addr_cnt加4.

 

2.2.2    读操作

读操作与写操作类似，也是先设置起始地址，只不过在设置起始地址时，同时设置读长度rdx_length。

设置读起始地址和读长度之后，控制器会自动去读取SDRAM中相应地址段的数据并存入FIFO，我们只需要判断FIFO是否有数据，将其读出来即可。

下图为读FIFO的时序图。

 

读操作仿真波形

 

2.3       参数定义

在Implemant到具体的项目中时，需要根据选用的SDRAM芯片修改sdr_sdram.h里的以下参数：

`COLSIZE           :        列地址位宽

`ROWSIZE         :        行地址位宽

`BANKSIZE        :        Bank地址位宽

`FIFO_ASIZE     :        FIFO深度配置，可不修改，默认是256

 

`BL                      :        突发长度

其他的参数可不修改

sdr_sdram.h主要宏定义如下

 

 

 

 

3SDRAM控制器电路框图

3.1       电路框图

 

n  读、写FIFO均为异步FIFO，用于缓存读、写数据

n  ctrlpath模块负责完成上电初始化SDRAM，每隔固定时间进行自动刷新防止数据丢失，查询WR1,WR2,RD1,RD24个端口是否有读写请求，并发出相应的命令；

n  CMD模块根据Ctrlpath的cmd命令，生成相应的SDRAM控制信号；

n  Datapath模块完成数据流的控制，即从WR FIFO中读数据送到sdram数据总线，或者从sdram数据总线读取数据存入RD FIFO，并保证其时序相互匹配。

 

 

 

3.2       CtrlPath状态机分析

Ctrlpath模块状态机共有如下12个状态。

状态转移示意图如下（由Verdi软件产生）

 

 

l  复位结束后在IDLE状态等待100us，然后进入INIT状态。

l  INIT状态完成SDRAM芯片的初始化，初始化主要完成了以下几个操作：一个预充电、两个周期自动刷新，以及LMR，即Mode寄存器设置。

RTL代码如下：

LMR指令模式寄存器设置：

对应的仿真波形。

初始化完成后，即跳转到了ARBIT状态。

l  ARBIT状态为要在以下几个状态之间进行选择：空操作、刷新操作、写端口1请求，写端口2请求，读端口1请求，读端口2请求。仲裁代码如下：

need_aref表示需要刷新，need_aref有效，则直接跳转到AREF状态；

port_sel为端口选择：0选择wr1，1选择wr2，2选择rd1，3选择rd2.所以上面的语句就是判断当前选择的端口是否有请求，有请求的话就跳转到ACT状态。

关于端口的查询机制，我用了如下代码：

并不是每时每刻，每个端口都有请求信号，所以上面的处理方式可以快速地切换到有请求信号的端口。这样可以使查询时间最小化，提高了数据吞吐率。

l  ACT状态发出Active命令；

l  RCD为RAS to CAS delay。延迟结束后感觉端口选择信号port_sel选择进入RD-S1还是进入WR_S1状态。

l  WR_S1和RD-S1状态分别为写和读命令发出状态。

l  WR_S2和RD_S2，等待操作完成。

l  TRP状态是为了等待Precharge完成。因为我们在读写时，A10=1，所以每次读或写结束，SDRAM会自动进行precharge操作。而Precharge和ACT命令之间，需要一个tRP的间隔。

 

以下是BL=4的时的写操作和读操作仿真波形截图

 

BL=4 写操作：ARBIT->ACT->RCD-WR_S1->WR_S2-TRP->ARBIT

 

BL=4,读操作：ARBIT->AC6-RCD->RD_S1->RD_S2->TRP->ARBIT

 

3.3       Datapath

该模块根据cmd命令，生成相应的FIFO读/写信号。FIFO读写时，注意调整好数据之间的步调一致。下面说下写信号和读信号怎么生成。

 

写操作比较简单，因为写命令会数据是同时发出的，并不需要等待，所以，可直接由写命令生成FIFO读请求信号

读的时候，与写基本一样，但是需要经过一个CAS Latency延迟。

 

4测试验证

为了测试该控制器的功能是否正确，做了一个串口收发和指令解析模块，通过串口向其发送读写指令。指令定义如下：

指令格式：

 

串口发送的格式为ASCII码，命令的第一个字符为@，或#，或%，分别代表设置地址，写如数据，设置读长度；所有命令以分号结束。

 

整个小系统电路结构示意图如下：

测试用例测试：

以下命令串是从0x100地址，开始写入4444，555, ……，def0，共12个数据，然后将其读回。

@100;

#4444;

#5555;

#6666;

#7777;

#8888;

#9999;

#aaaa;

#bbbb;

#1234;

#5678;

#9abc;

#def0;

%c;

串口测试结果截图如下：

收到的数据和写入的数据是一致的，说明读写是正确的。