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电源开关的选择,NMOS还是PMOS?

在电源的设计中,经常会需要用到电子开关,MOSFET的电压驱动特性决定了它是作为开关的最佳选择。

下图是几种FET的导通特性的示意图。顺便说一句,JFET都是耗尽型(depletion-mode)的;MOSFET可以是增强型(enhancement-mode)或者耗尽型,但实际中很少见到耗尽型的;它们都有n沟道和p沟道型。所以,只需要关注图中所示的几种FET就行了。

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可以看出,对于PMOS,当Vgs大于Vt时,它是完全截止的。也就是说,当Vg>=Vs时,PMOS是保证截止的。这一特性使得PMOS适合用在“高压侧”作为电源开关。源极接到输入电压,漏极接负载,负载接地。当栅极接地时PMOS就导通,栅极接到源极PMOS就截止。

相反的,对于NMOS,当Vgs大于Vt时,它开始出现Id。也就是说,当Vg<=Vs时,NMOS是保证截止的。这一特性使得NMOS适合用在“低压侧”作为电源开关。电源接到负载,负载接到漏极,源极接地。当栅极接地时NMOS就截止,栅极电压高于导通电压,也就是数据手册中的Vgs(th)时,NMOS导通。

电源开关的选择,NMOS还是PMOS?