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半导体随机存储器

1,基本结构

存储矩阵 译码驱动电路,读写电路等,其基本结构如图:

           →|    译                                                                     读

地址线   →|    码                           存储矩阵                                写     → 数据线

           →|    驱                                                                     电

           →|    动                                                                    路

图-1 半导体存储芯片的基本结构

存储矩阵由大量的位存储单元组成

译码驱动:将来自地址总线的地址信号翻译成对应的存储单元的选通信号,该信号在读写电路的配合下完成对被选中单元的读写操作。

读写电路:包括读出放大器和写入电路,用来完成读写操作。

读写控制线:决定芯片进行读写操作

片选线:决定哪个存储次那片被选中

地址线:是单向输入的,其位数与存储字的个数有关

数据线:是双向输入的,其位数与读出和写入的数据位数有关。数据线数和地址线数共同反映存储芯片容量的大小。如地址线10根,数据线8根,则芯片的容量为=8K位

半导体随机存取存储器按其存储信息的原理不同,可分为静态RAM和动态RAM两种,高速缓冲存储器大多由静态RAM实现,后者则广泛应用于计算机的主存。

74138译码器:

译码是编码的逆过程,实现译码器的电路被称为译码器。

 

 

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