最近用Mega16做一个步进电机的项目，以后把项目全部的内容贴上来跟大家分享呵呵，现在讨论一个防止EEPROM读写出错的小办法，我编写熔丝位是用AVRstudio里面的Jtag下载功能来烧熔丝位的，连上Jtag，AVRstudio的Jtag功能fuse选项里，把熔丝位中的Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle钩上，Brown-out detection level at VCC=4.0V钩上，Brown-out detection enabled钩上，就可以解决读写EEPROM时出错的机会了。

      如果再加上用直接地址访问法，而不用变量定义法，会更好的避免EEPROM读写问题，例如我就定义了
//定义eeprom变量的地址
#define eeprom_step_num 0xA0
#define eeprom_step_r_max 0xB0
#define eeprom_step_l_max 0xC0
然后程序就没有再跑飞了！^_^

      在其它论坛上还有一些讨论EEPROM读写错误的贴，我节选了一些，留作参考：

EEPROM掉电丢数据这个特点可不是AVR独有的。很多年前在89C51+24C02的系统里面就遇到过，我不知道铁电有什么比24C02更牛的地方，居然能保证不丢数据。原因很简单，就是掉电过程中，电压降低到MCU无法正常工作的程度，程序跑飞了，单片机引脚状态完全不可控，某次掉电就可能发出错误的写24C02的指令。上电的时候因为RESET处于有效状态，MCU引脚状态完全确定（对于51来说就是全1），是不可能误操作24C02的。解决方案很简单，加一片MAX813L，当电压低于4.6V就锁定89C51，问题彻底解决。这么多年也没见24C02被误改写。 

最早的一批AVR内置了EEPROM却没有BOD，所以EEPROM被误改写是家常便饭，ATMEL很快发现了这个问题，新推出的AVR全都含有BOD乐。AVR的情况比较复杂，振荡方式和复位方式都有多种，所以不仅掉电会改写EEPROM（原因同上），上电也会！RESET过程结束前，必须有若干XTAL，MCU内部寄存器（包括软件不可见的）才会清零，如果RESET结束了才来时钟，上电就是程序乱飞，同样有可能改写EEPROM。用RC振荡方式问题不大，有电就能振起来，用石英晶体就会出问题，我测过89C51的，上电后20ms才振起来，如果电源上有大的滤波电容，VCC的上升斜率变小，晶体起振时间会变得更长！有存储示波器的朋友可以自己测一下，对晶振的起振有个感性认识。

我遇到过的问题，m8里面有写eeprom的程序段，数据已经写入到eeprom了。 
不停的开关电，eeprom里的值有可能随机改变，不见得是0x00,0xFF 
原因是不是上电时，程序指针跑飞到写eeprom那段，导致往eeprom随机地址写了随机数。 
后来，采用isp下载2次程序，最后版本的程序是删除了写eeprom程序段，保留读eeprom段。 
这样的话，开关电很多次，里面的eeprom没见有改动。 
如果系统实际运行时，需要对eeprom写操作，可考虑存多几次数据，用校验方法来处理数据改变。

偶的应用一般要用到EEPROM存储的数据比较少，一般采取反码冗余备份校验的方式，需要存储的数据按照原码和反码存两份，需要读取时分别读取原码和反码，进行校验，若校验不通过，则根据一定的算法恢复数据或者采取缺省值.

我遇到过的问题，m8里面有写eeprom的程序段，数据已经写入到eeprom了。 
不停的开关电，eeprom里的值有可能随机改变，不见得是0x00,0xFF   



我也是一样BOD使能   就OK了 不过我还是不放心，我用两份数据，最后加校验，启动的时候读eeprom数据   如果有异常 检测出错误数据组，然后用正确的恢复。如果两组数据均遭毒手，用flash里面的默认数据覆盖。

一般我在eeprom里间三分拷贝，位置隔的比较远

以下是马潮老师的解决办法：

作为一个正式的系统或产品，当系统基本功能调试完成后，一旦进行现场测试阶段，请注意马上改写熔丝位的配置，启用AVR的电源检测（BOD）功能。 

对于5V系统，设置BOD电平为4.0V；对于3V系统，设置BOD电平为2.7V。然后允许BOD检测。 

这样，一旦AVR的供电电压低于BOD电平，AVR进入RESET（不执行程序了）。而当电源恢复到BOD电平以上，AVR才正式开始从头执行程序。保证了系统的可靠性！ 

原因分析如下： 
AVR是宽电压工作的芯片，当电压跌至2.5V，系统程序还能工作。这是有2个可怕的现象可能出现， 
1。外围芯片工作已经混乱，AVR读到的东西不正确，造成程序的执行发生逻辑错误（不是AVR本身的原因）。 
2。当电源低到临界点，如2.4V时，并且在此互上互下的，AVR本身的程序执行也不正常，取指令、读数据都可能发生错误，或程序乱飞、不稳定（AVR本身的原因，实际任何的单片机都是这样的），非常容易造成EEPROM、FALSH的破坏。有人问51怎么不会？实际上51也是这样，只是51内部没有直接写EEPROM、FLASH的指令，它的程序乱飞留不下痕迹。还有人有疑问：外挂EEPROM，掉电时怎么不会改写？实际是外挂EEPROM，当电压低于4V（2.7V）时，它已经不工作了，程序去改内容也改不了。而AVR内部的东西在临界电压时都能工作，但非常不稳定。 

AVR的BOD功能必须要使用，我早期使用51时，凡是产品外部都要使用电源监测芯片，现在AVR自己本身就有该功能，一定要使用。

EEPROM读写问题