与磁盘相比，SSD具有很高的IO性能，但是和磁盘相比，SSD的性能稳定性不如磁盘好。在使用过程中，SSD的性能会发生变化，而不能保持很强的一致性。这是SSD的一个特性，性能会随着时间、使用寿命发生变化。对于存储系统设计而言，这种不确定的性能变化以及抖动都会对系统整体性能造成影响。因此，对于闪存存储系统设计者而言，需要了解SSD内部的工作机制以及熟悉导致IO抖动的因素。

可能大家会说，SSD性能发生变化的一个重要因素是内部GC（垃圾回收）机制的影响。其实不全是，GC会导致SSD性能发生变化，NAND Flash上的数据布局方式会对GC性能造成影响，其本质问题是数据迁移与用户IO之间的资源竞争。另外，企业级SSD标称的性能往往都是在GC全速运行情况下的稳态性能，而不是出厂时的空盘性能。所以，在一般情况下，应用测试的IO稳定性都还是可以的。存储系统在使用SSD时，也都会只考虑稳态性能，而不是空盘性能。问题是在稳态性能情况下，在不同的IO Pattern情况下，不同的使用寿命情况下，其性能稳定性、IO抖动性还会发生变化。而这种性能变化恰恰是存储系统设计者需要考虑和解决的重要问题。对于存储系统设计者来说，不能将SSD当成一个黑盒进行使用，这是与磁盘存储系统设计来说是一个重大差别。

纵观SSD的设计，我们可以发现影响SSD性能不稳定的因素有很多，其中主要因素有NAND介质本身的比特错误；读与写、擦除的冲突；Read Disturb、GC等问题导致性能变差。从外在表现来看，Bit Error的增多会导致SSD在使用过程中出现性能抖动问题，尤其是随着使用寿命的耗尽，SSD性能会发生明显的变化。另外在不同的IO Pattern下，性能也不尽相同，有些SSD甚至会存在写后读的问题，紧随着写之后的读延迟会变得很大，达到毫秒级，这是由于内部IO冲突导致的。此外，在同一区域大量读之后，也可能发现性能会出现抖动，这也是由于内部的Read Disturb机制开始工作了，会与用户IO发生竞争，从而导致性能抖动，甚至下降。

NAND Flash作为半导体存储介质，其存在严重的比特错误（BitError）。不同制造工艺会导致NAND具有不同的比特出错率；不同的NAND类型，MLC、TLC以及未来的QLC都会具有不同的比特出错率；3D TLC在使用不当的情况下，其出错概率会发生变化；不同的使用寿命状态，NAND存放时间，其比特出错概率也会发生变化。所以，对于NAND介质来说，多种因素会导致出错概率发生变化。对于SSD而言，这种Error Bit会导致IO的性能发生不确定的抖动。例如对于读操作，如果Bit Error控制在一定范围之内，BCH或者LDPC解码器可以快速解码，那么一个正常的读请求可以控制在100us左右。如果Bit Error超出了快速解码的范围，那么解码器将会花费大量的时间进行解码，引入延迟；如果Bit Error过多，解码器无法进行正确解码，那么在SSD内部会通过Read Retry机制尝试通过调整NAND的参考电压来重新读取数据，这必然会导致更大的延迟；如果read retry也搞不定，那么需要依赖企业级SSD内部的NAND级别RAID来进行数据恢复，同样需要引入很大的延迟。当一个盘的使用寿命在不断耗尽的过程中，NAND Flash的Bit Error错误将会呈上升趋势，而很多译码器的解码能力不会呈现线性变化趋势，而更多的会呈现突变，类似于e指数变化趋势。也就是说当Bit Error的数量达到一定程度之后，译码时间将会急剧增加，从而导致IO延迟急剧增加，外在表现为IO性能的急剧抖动。

读写冲突、读写与擦除之间的冲突也是导致IO抖动的重要因素。当一个读请求和擦除请求落在了同一个通道的相同Die上，那么读请求将会由于擦除操作而被迫等待。NAND Flash的擦除操作基本上在2ms以上，如果发生这种冲突，那么IO的延迟将会从100us提升到2ms以上，从而发生严重的延迟。为了解决这个问题，现在有些NAND也会提供Erase Suspend的功能，通过该命令让擦除操作暂停，让读操作先进行，从而降低读延迟。在SSD内部的读写冲突也会引入延迟，当读写操作发生在同一个Block时，会导致读延迟增加。针对这个问题，在存储系统设计过程中，需要将读写请求在空间上进行分离，从而避免读写请求在同一个Block上冲突。

NAND Flash存在Read Disturb的问题，当NANDFlash一个区域被重复读之后，其Bit Error将会上升。为了解决该问题，SSD内部的Firmware会进行Read Disturb的处理。一个区域被重复读取之后，会进行数据搬移操作，该操作过程类似于Garbage Collection过程。一旦该过程被触发之后，SSD内部的IO请求数量将会上升，从而对读请求造成一定的影响，导致性能降低及抖动。

SSD作为一种半导体存储介质，其性能通常会高于磁盘，但是在极端情况下，由于IO Pattern导致的读写冲突，Bit error的增加都会导致SSD性能的变化，并且出现性能抖动的问题。此外，SSD对于顺序写、随机写、顺序读、随机读以及混合读写情况下的性能都会有所变化，并且不同的IO Pattern会导致数据在NAND上的布局发生变化，从而会导致各种读写情况下的性能都有所变化。例如，全盘顺序写之后的顺序写性能会比较高，但是在全盘随机写之后的顺序写性能会略差。其中的核心原因在于NAND上的数据布局初始条件的不同，GC行为会发生差异，从而导致后面的业务IO性能发生变化。在磁盘存储中不存在这些因素，但是在SSD存储中，一定需要考虑SSD固件的行为。一个比较好的设计是让SSD内部的FTL工作在最佳状态下，从系统软件层面整体控制存储IO的行为，从而保证IO的性能一致性，防止IO出现不确定的抖动。

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SSD内部的IO抖动因素