一些关于MOS管的基础知识，很多资料来源于网络。

场效应管（FET）分类：（按材料）

1. 结型

2. 绝缘栅型（MOS）

• 耗尽型：在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)
• 增强型：无掺杂。

结型：

工作原理：

在u_ds=0时：

• u_gs=0V
• u_gs>0V，并没有夹断
• u_gs>0V，夹断

u_ds>0时，沟道的变化不会像u_ds=0那么规则。但是当沟道夹断之后，i_D只取决于u_GS，即电压控制电流。

N沟道增强型MOS：

N沟道耗尽型MOS：

CMOS门电路：

1. 反相器

• v_I=0时：T1导通，T2截止，v_O输出高电平；
• v_I=1时：T1截止，T2导通，v_O输出低电平。

2. 与非门

• A=1,B=0时：T1截止，T3导通，输出为高；
• A=0,B=1时：T3截止，T1导通，输出为高；
• A=0,B=0时：T1、T3导通，T2、T4截止，输出为高；
• A=1,B=1时：T2、T4导通，T1、T3截止，输出为低。

3. 或非门

分析类似。