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MOS管基础知识

一些关于MOS管的基础知识,很多资料来源于网络。

 

场效应管(FET)分类:(按材料)

1. 结型

2. 绝缘栅型(MOS

  • 耗尽型:在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)
  • 增强型:无掺杂。

 

结型:

工作原理:

uds=0时:

  • ugs=0V
  • ugs>0V,并没有夹断
  • ugs>0V,夹断

uds>0时,沟道的变化不会像uds=0那么规则。但是当沟道夹断之后,iD只取决于uGS,即电压控制电流

 

N沟道增强型MOS

N沟道耗尽型MOS

 

CMOS门电路:

1. 反相器

  • vI=0时:T1导通,T2截止,vO输出高电平;
  • vI=1时:T1截止,T2导通,vO输出低电平。

 

2. 与非门

  • A=1,B=0时:T1截止,T3导通,输出为高;
  • A=0,B=1时:T3截止,T1导通,输出为高;
  • A=0,B=0时:T1T3导通,T2T4截止,输出为高;
  • A=1,B=1时:T2T4导通,T1T3截止,输出为低。

 

3. 或非门

分析类似。