这类金属开关的大小甚至不及一根头发丝的宽度，能够控制一系列电气系统的电流，从应用千瓦级功率的设备到普通灯泡。这一技术的未来应用意义深远，开关的使用范围很广，从手持电子设备、工业设备到防护设备。GE的MEMS开关与其他MEMS技术的不同之处在于GE研究员研制的独特材料组合，使得开关能够在极端运行条件下，比如高温，运行数十亿次 ，同时但能够保持极低的接触电阻。

　　在显微镜下观测，置于一枚美国一角硬币上的晶元包含400个MEMS开关,此器件由GE金属MEMS技术制成，能在这么微小的系统结构上，可控制多达1千瓦的能量。若需在移动设备上应用，此项技术可按比例缩小并微型化处理。

　　GE全球研发中心工程师Chris Keimel称：“得益于跨学界的专业知识，涵盖材料、元器件设计、装配、封装、电子、系统集成等领域，我们可以顺利解决开关微型化带来的根本性挑战。我们已成功研发普通的设备装配平台，能够在一个晶元上组装上百个仅显微镜可见的微型继电器，将之应用于工业电气控制，或为新一代的射频通信产品制造隔离度高，且损耗低的射频开关。我们在开关技术领域正在引领新的变革，我也很期待未来的发展。”

　　LTE增强型(LTE-Advanced)技术也称之为“真正的4G”，在亚洲部分地区已投入应用，不久也将成为全球移动通信领域的标准。尤其值得注意的是，它可让数据下载速度在理论上大于每秒3000兆比特的速度，大大超越4G LTE每秒300兆比特的速度。通过利用容量更大的射频带宽，更智能的传输运算方法以及多天线技术，LTE增强性技术使得连接和信号质量更为稳定。若要完善所有改进，硬件也需要同步发展，这就是GE MEMS开关技术的领先优势所在。

　　GE技术授权部门负责业务拓展的副总裁Chris Giovanniello说：“移动及平板电脑每年拥有20亿美元的市场规模，而且这些设备日趋整合成一体。先进的天线及无线技术不可或缺，而GE先进金属MEMS技术制成的设备有潜力提供这种不断提高的性能要求，而价格与绝缘体上硅(SOI), 砷化镓(GaAs)或其他半导体技术相比，更具竞争优势。此外，模块蜂窝设计能够按比例增强，可支持高能耗应用程序，比如无线基础设施。”

　　“我们很自豪地看到，MEMS技术正日趋成熟。过去10年，我们在GE全球研发中心开发先进的开关技术及其元器件，它们将应用于GE的重要系统中。”Keimel说，“重新研发开关元器件给我们的系统带来突破性优势，比如减小尺寸，减轻重量，减少能耗和成本，并改进总体性能。”

　　GE正积极携手合作伙伴技术许可这一专有流程，推动其它低成本制造选择，使技术应用于不同消费者和工业领域。