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10年千亿美元,紫光集团目标跻身全球前五的存储器企业

集微网消息,国家01专项技术总师、清华大学微电子学研究所所长魏少军曾说过,存储器产业讲求规模,是一个需要长期持续投入的行业。据台湾电子时报报道,紫光集团全球执行副总裁暨长江存储代行董事长高启全透露,紫光集团以拿下 25% 的 DRAM 市占为目标,若计入 3D NAND 投入成本,需要长达十年共计 1000 亿美元的投资金额。
 
DRAM 产业正在从一个波动剧烈的市场,逐渐走向成熟。现阶段,DRAM 技术每进入新一代制程技术仅增加 20%的半导体机台设备,这意味着既存的半导体厂商的多数机台设备已经折旧完,如果购买全新的设备投入追赶显得并不明智。然而,在传统 2D 走向 3D NAND 技术时,几乎所有的半导体机台设备都要更换,技术也在革新中,在投入方面所有存储器厂商都处在同一个出发点,踩准这一时机大力投入,积极追赶是非常好的机会。
 
在具体的投入金额方面,高启全算了一笔账。紫光集团拿下 25% 的 DRAM 市占为目标做例子,晶圆厂的每月单月产能在 30 万片,制程设备方面投资需要 270 亿美元,建厂成本在 330 亿美元,产能满载后的每年固定投资在 30~40 亿美元,累计 5 年再投资 150~200 亿美元,总投资金额需要 480~530 亿美元,若再计入 3D NAND 的投资计划,未来 10 年紫光集团在存储器领域的总投资金额将高达 1000 亿美元。
 
这是一笔巨大的投入。回顾台湾存储器产业的失败的原因,高启全表示,1985年,英特尔正式退出DRAM领域,在经历了日本、韩国积极投入,后来者居上,韩国最终坐稳了第一把交椅。台湾在 2008 年成立台湾创新内存(TMC/TIMC)计划集中发展 DRAM 产业资源,但终究因为资金问题未能如愿,原本 5000 亿新台币的资金需求,政府仅提供了 80亿,远远达不到预期。
 
他强调,“现在唯一有机会成为全球抗衡三星势力的只有大陆,紫光会把这梦化为具体的实践!”一定要有人扮演在全球平衡三星的势力,目前只有大陆有能力有资金投入进来,长江存储就是基于这个出发点而诞生,也是大基金唯一真正投资的存储器企业。
 
目前,长江存储已齐聚 500 名研发人员在武汉投入 3D NAND 开发,同时考虑研发 20/18 纳米的 DRAM 产品,希望在技术开发具有一定竞争力后再投产。据长江存储 CEO 杨士宁介绍,其 32 层 3D NAND 芯片顺利实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证,通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求,今年底将提供样片,继续向64 层 3D NAND 发展。高启全高调欢迎美光(Micron)加入合作,直言双方合则两利,美光近一年来在全球DRAM 市占率从 28% 掉到 18%,不快加入长江存储的阵营一起奋斗,未来只会更辛苦。
 
据集微网了解,继长江存储武汉的生产基地动工后,紫光集团董事长赵伟国表示,再砸 460 亿美元在成都和南京两地启动半导体基地,三个生产基地合计共投入 700 亿美元。他希望在十年内,紫光集团将跻身全球前五大存储器制造商。“只要有足够的时间,中国半导体就能发展起来。”
 
在人才方面,紫光集团网罗前晨星创办人杨伟毅出任紫光旗下长江存储公司CTO,又延揽晶圆代工厂联电前CEO孙世伟,担任全球执行副总裁一职。杨伟毅是当初晨星的研发领袖,半导体业界人士评估,他的技术能力将让紫光如虎添翼。而孙世伟加入后,将协助紫光在成都设立12寸晶圆厂,扩大紫光集团在整个半导体蓝图的构建,与高启全联手共筑逻辑和存储器的双版图。
 
http://laoyaoba.com/ss6/html/36/n-637336.html

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