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2.3NandFlash的操作
2.3NandFlash的操作
1.NandFlash分类：
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2.MLC和SLC对比：
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3.信号引脚：
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Nandflash的读：
页读：页地址
随机读：页地址+列地址
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今天是要实现页读：需要页的地址。
我们来看芯片手册K9F2G08U0A.pdf：找到桉叶读的工作原理图：
寄存器NFCONT：
在这个寄存器里的【1】位：
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上面就是选择操作nandflash的位：
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- nandflash的statue寄存器：
第四位：
清除RB：第四位为1是，清除RB。
- 接下来是发送的操作：
寄存器：
- 发送：
- NFDATA：
主方法：
Make：编译
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要实现nandflash进行读的功能，必须进行初始化：主要对一下两个寄存器进行初始化：
我们主要是初始化这个寄存器的三个参数：TACLS，TWRPH0，TWRPH1。
有下面的参数得上图参数：为了我们的nandflash能够工作，必须满足他的最小值。
TACLS=0ns
TWFPH0=12ns
TWFPH1=5ns
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上面三个参数的取值运算：
我们的nandflash使用的HCLK，频率是100MHz的。那么他每震动一次对应的时间是10ns(1/100MHz).
上面有算TACLS>0ns
TWFPH0>12ns
TWFPH1>5ns的公式。
要实现duration=HCLK*TACLS=10ns*TACLS>0,只需要取TACLS=1，即可。
要实现duration=HCLK*(TWRPH0+1)=10ns*(TWRPH0+1)>12ns,只需要TWRPH0=2即可
要实现duration=HCLK*(TWRPH1+1)=10ns*(TWRPH1+1)>5ns,只需要TWRPH1=1,即可。
接下来是初始化我们的NFCONT，先disable，再enable使用。
复位的操作：
接下来就是来测试这些函数。
解决隐患：
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