首页 > 代码库 > sdram学习笔记
sdram学习笔记
SDRAM笔记
1 LogicBank
SDRAM中的每个存储阵列称为一个逻辑bank(LogicBank)。目前sdram一般都有4个Bank。要寻址一个存储单元,要确定:bank地址,行地址,列地址。
2 命令
SDRAM的各种操作命令,通过RAS,CAS,WE不同的电平组合来实现。各个命令如下表所示。
3 几个重要的参数
RCD: 即RAS to CAS delay.行选通周期。行有效命令与列读写命令之间的间隔时间。
CL: 即CAS Latency,CAS潜伏期。发出读取命令,到数据出现在总线上的时间。
RRD:不同工作行之间切换的时间间隔。
BL: 突发长度,可选1,2,4,8.
4 初始化过程
200us稳定器 + 1个预充电 + 8个自刷新。具体如下图。
sdram学习笔记
声明:以上内容来自用户投稿及互联网公开渠道收集整理发布,本网站不拥有所有权,未作人工编辑处理,也不承担相关法律责任,若内容有误或涉及侵权可进行投诉: 投诉/举报 工作人员会在5个工作日内联系你,一经查实,本站将立刻删除涉嫌侵权内容。