command 模块总述

SDRAM 的 command 模块的内容包括如下：

1、对初始化请求、配置模式寄存器、读/写、刷新、预充电等命令的一个优先级的控制。

2、将相应的命令进行解码即转化成相应的控制总线，转化依据如图1：

                    图1

代码详解

1、SDRAM 重要的参数

SDRAM 的容量为 4 * 1 M* 16 bit , 一共有 4 个 bank , 每个 bank 为 12 行、8列。 本次设计 SDRAM 为 顺序的突发读写模式、T_CAS=3，T_CL=3 。

我们将这些参数定义到 parameter.h 模块中，然后通过 `include "parameter.h" 在其他文件中调用这个文件，具体如下。

在command.v 中调用该文件。

                                        图2

 2、command.v 模块接口

3、命令的优先级，

（1） SDRAM在每一刻只有一个指令在执行；

（2） 先到的指令先执行，即：如果刷新请求到来时，其它命令正在执行中，要等到当前命令执行完成后，才能执行刷新指令；

（3） 其它指令和刷新请求同时到来时刷新操作先执行。

 命令优先级代码：

 初始化命令，可以和上面的代码融合为1个代码。

 4、命令执行的延时控制

经过优先级判断后，要把指令解码成可控制SDRAM的信号，同时还要用三个移位寄存器对命令执行的延迟时间进行控制。第一个为指令延时寄存器，用来保证SDRAM有充足时间完成最终指令。例如，如果命令的执行需要8各时钟周期的时间，则指令延时寄存器com_delay的初值设为“11111111”，同时声明一个内部信号com_done，作为指令执行完成的标志的。在指令执行期间，每一个时钟上升沿到来时，移位寄存器向右移位一次，com_delay[0]的移入com_done，同时“0” 移入最高位com_delay[7]。当com_done为“0”时，就说明指令的延迟时间已到，即通过com_done的值，就可以判断当前指令是否执行完成。要注意的是：移位寄存器的位数和初值，应该根据SDRAM的数据手册中命令完成需要的时间和系统的时钟周期来确定。

当输入的指令为writea和reada指令，将引发一系列指令的执行，和其它指令相比需要附加时间。所以，声明第二个移位寄存器rw_shift，来计算这两个指令的附加时间，其工作原理和第一个移位寄存器是一样的。数据通道oe，即数据输入、输出使能信号。对于非页模式的读写来说，oe保持有效的时间取决于突发长度。并且oe有效的起始时间对读操作和写操作时不同的：读操作时，oe有效的起始时间取决于CAS延时时间，而对于写操作时则在写指令开始时oe就是有效的。

4、命令解码

片选信号

 5、行列地址、bank地址

将总地址的值分开，与 SDRAM 的重要参数保持一致

行列参数，行和列地址共用数据总线

bank地址

这些都是比较重要的，简单分析做个总结怕自己忘记。SDRAM设计中有很多细节，数据手册还是要多看看，每看一遍感觉都是不一样的。

学习的过程中没人交流，只能靠自己从网上搜、各种尝试，虽然很艰难，还是挺开心的。

如果有什么问题，还请指出，感激不尽！

原文链接：http://www.cnblogs.com/aslmer/p/6031921.html　　

SDRAM 学习（三）之command