1.反相器驱动电容的情形：电容来自于之后的门电路以及导线

  P=  Vs²/2R_l + CVs² f   待机功率加上动态功率

  用假设值计算，对于1Ghz，10⁸（一个芯片上的门电路数目）门电路，待机功率会达到125Kw ,动态功率为250W

    实际功率都在100W作用，因此前面的待机功率一定有问题  

    如何降低？

2.解决方法;当输入高时，导通时，让RL非常大，开路

              当输入低，关断时，Ron开路

  NCOMS：栅极电压高时，导通

  PCOMS：栅极电压低时，导通

 将原来的RL替换成 具有互补性质的PMOS

   这种同时具有NMOSFET和PMOSFET的电路结果叫做CMOS。给定电压下，两个管子必定一个导通，一个关闭

  在理想情况下，由于没有从电源到地的通路，因此它不消耗待机功率

   另一优势：由于导通电阻都很小且比较接近，因此上升下降时间短而且接近

  平均功率为 CVs² f

  目前的处理器，电压大约在1-1.5V，频率3-4G赫兹，功率大约就在100W

  如果在空闲时间关闭一些功能单元，就可以进一步降低

 同时，由于漏电流的存在，因此也存在待机功率