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P(positive)型半导体

空穴(共价键上流失一个电子)浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体,在纯净硅晶体中掺入三价元素

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N(negative)型半导体

自由电子浓度远大于空穴(共价键上流失一个电子)浓度的杂质半导体,在纯净硅晶体中掺入五价元素

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注意:P型半导体呈电中性,空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。

Q:为什么不直接用P型或N型半导体?

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