可能大家在使用半导体器件的时候只是在使用它的电气属性，并没有很好的关心下它是什么原因才有了这样的电气属性，那么我们本篇就从物理结构分析下PN结吧。

首先看一张比较陈旧的图图：

 （就按自己的笔记简单谈谈自己的理解吧，不到之处请各位积极留言啊）

1.怎样选取母体（基片） ？

答:我们在选取衬底时首先选取电中性的，在元素周期表中，外部电子数目处于4（C,Si,Ge，Sn，Pb）的为金属和非金属之间，称为半导体，元素属性教稳定。

对于为什么选Si，Ge，而不是其他的，原因可能是，Si，Ge资源多，获取成熟的本征半导体工艺相对成熟，或者别的原因。

2.本征半导体？

答:纯度99.9...%(小数点后9个9)  硅（Si），锗（Ge）

3.什么是P型半导体，N型半导体？

答：在本征半导体上掺杂不同元素，（常 磷P +5，硼B +3）使该半导体属性有所变化，这样

N型半导体：  掺杂 磷p  由于P +5，相对应原子核外最外层电子有5个，正如大家知道的，外部电子层有 2 4 8的时候是趋于稳定的，（磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。）因此大部分P原子在半导体中失去电子，这样在半导体中就会分布许多电子（-1价），这样掺杂P原子后的半导体称为N型半导体；（之后P变成+1价的P离子）

P型半导体：  掺杂 硼B  由于B +3，相对应原子核外最外层电子有3个，易得到电子，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，对于空穴只是一个名词，可以理解成极易得到电子的一个单元，称 +1价；这样掺杂B原子后的半导体称为P型半导体；（之后B变成—1价的B离子）

4.

PN结讲解