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TMS320F28335项目开发记录11_28335之存储系统
TMS320F28335为哈佛结构的DSP,在逻辑上有4M×16位的程序空间和4M×16位的数据空间,但在物理上已将程序空间和数据空间统一成一个4M×16位的空间。
TMS320F28335片上有256K×16位的FLASH,34K×16位的SRAM,8K×16位的BOOT ROM,2K×16位的OPT ROM。
1、 TMS320F28335片上SARAM
TMS320F28335片内共有34K×16位单周期单次访问随机存储器的SARAM,分成10个块,他们分别称为M0、M1、L0-L7。MO和M1块SARAM的大小均为1K×16位,当复位后,堆栈指针指向M1块的起始地址,堆栈指针向上生长。M0和M1段都可以映射到程序区和数据区。
L0-L7块SARAM的大小均为4K×16位,既可映射到程序空间,也可映射到数据空间,其中L0-L3可映射到两块不同的地址空间并且受片上的FLASH中的密码保护,以免存在上面的程序或数据,被他人非法拷贝。
2、 TMS320F28335片上FLASH和OTP
TMS320F28335片上有256K×16位嵌入式FLASH存储器和1K×16位一次可编程EEPROM存储器,他们均受片上FLASH中的密码保护。FLASH存储器由8个32K×16位扇区组成,用户可以对其中任何一个扇区进行擦除、编程和校验,而其他扇区不变。
3、 TMS320F28335外部存储器接口
TMS320F28335的外部存储器接口包括:20位地址线,16(最大32)位数据线,3个片选控制线及读写控制线。这3个片选线映射到3个存储区域,Zone0,Zone6和Zone7。这3个存储器可分别设置不同的等待周期。
Zone0 存储区域: 0X004000—0X004FFF, 4K×16位 可编程最少一个等待周期
Zone6 存储区域: 0X100000—0X1FFFFF, 1M×16位 10ns 最少一个等待周期
Zone7 存储区域: 0X200000—0X2FFFFF, 1M×16位 70ns 最少一个等待周期
TMS320F28335项目开发记录11_28335之存储系统
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