日前，以“自主创新，融合发展”为主题的第十五届中国通信集成电路技术与应用研讨会暨第二届晋江国际集成电路产业发展高峰论坛(简称CCIC)在福建省晋江市成功举办。会上，中科院院士刘明发表了题为《存储器技术发展态势和机遇》的演讲，特择录如下，以飨读者。

　　主流存储器发展现状

　　根据刘明院士介绍，现在的存储器分为两种，分别是易失存储(以SRAM和DRAM为代表)和非易失存储。

　　而回顾存储的发展史，第一个64bit制度存储器是由仙童半导体在1967年推出的。刘明院士表示，英特尔在存储的发展史上拥有极其重要的地位，全球第一个肖特基双极64位SRAM、第一个DRAM、第一个1Kb SRAM、第一块EEPROM都是由英特尔推出的，而Nor Flash同样是Intel的杰作。至于NAND Flash，则是由日本存储巨头东芝推出，刘明院士强调。

　　由于手机，物联网和大数据等领域的发展，全球的存储市场发展迅猛，在半导体产业中占比例也高达24%，全球的市场规模更是高达733亿美元。当中尤其以DRAM和NAND FLASH的占比最高，高达90%。

　　但一个令人稍显不安的事实是，目前DRAM行业基本被三星、海力士、美光三家垄断了90%以上的市场，NAND Flash也被几家巨头垄断了95%。为了摆脱这种现象，中国投入巨资助力DRAM和NAND FLASH产业建设。

　　在对全球的存储概况做了总结以后，刘明院士对存储的发展现状做了剖析，首先是DRAM，她指出，现在国际上DRAM已经进入了20nm以下节点，三星、海力士、美光均已发布了1x节点的DRAM量产计划。

　　紧接着，刘明院士还就HBM及HMC的技术发表了评论。

　　对于NAND技术的介绍，刘明院士也不遗余力。当中包括了2D NAND。

　　还有3D NAND。

　　新型存储器技术发展现状

　　在介绍完主流的技术之后，刘明院士给我们带来更多新型存储器技术的分享。

　　首先是MRAM。

　　然后是STT –MRAM。

　　紧接着是PRAM。

　　PRAM的优劣势。

　　还有PRAM现在的进展。

　　她认为Intel和美光合作研发的，革命性的3D Xpoint技术同样是用的PRAM技术。

　　另外还有RRAM。

　　刘明院士还对RRAM的发展史做了总结。

　　RRAM目前的研究也从实验室走向了企业。

　　松下在2013年发布了180nm RRAM的量产公告。

　　国产在存储上的相关研究和产业基础

　　在对全球的存储发展现状和未来的发展趋势做了总结以后，刘明也对中国存储的发展现状做了一个剖析。她首先对我国的存储相关研究做了概述。

　　中国在存储领域的学术影响力也得到了很大的提高。

　　在产学研相关结合上，也取得了不错的成果。

　　阻变存储器。

　　相变存储器。

　　磁存储器。

　　至于大陆地区存储技术产业的发展状况，刘明院士也做了很好的评价。

　　大陆当前存储产业的主要布局。

　　华虹宏力在存储代工方面的实力。

　　中芯国际也不遑多让。

　　武汉新芯也厚积薄发。

　　最后，刘明院士就中国存储的发展做了一个总结。

存储器技术发展态势和机遇