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RAM

?简介

  在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作。存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器[或者内存储器和外存储器,主存储器简称内存。内存在电脑中起着举足轻重的作用。内存一般采用半导体存储单元。

  因为RAM是内存其中最重要的存储器,所以通常我们直接称之为内存。

  内存就是存储程序以及数据的地方,比如当我们在使用WPS处理文稿时,当你在键盘上敲入字符时,它就被存入内存中,当你选择存盘时,内存中的数据才会被存入硬(磁)盘。

  RAM就是既可以从中读取数据,也可以写入数据。当机器电源关闭时,存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存,内存条(DIMM)就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板,它插在计算机中的内存插槽上,以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有256M/条、512M/条、1G/条、2G/条等。

存储速度

  RAM芯片的存储速度比ROM芯片的速度快,但比Cache的速度慢

优缺点

  静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的;动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。

由于电容上的电荷会泄漏,需要定时给与补充,所以动态RAM需要置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低,从而成本也低,适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM,而高速缓冲存储器(Cache)则使用静态RAM。另外,内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中,用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。

计算机术语 RAM & ROM

  abp: address bit permuting,地址位序列改变 

  atc(access time from clock,时钟存取时间) 

  bsram(burst pipelined synchronous static ram,突发式管道同步静态存储器) cas(column address strobe,列地址控制器) 

  cct(clock cycle time,时钟周期) 

  db: deep buffer(深度缓冲) 

  ddr sdram(double date rate,双数据率sdram) 

  dil(dual-in-line) 

  dimm(dual in-line memory modules,双重内嵌式内存模块) 

  dram(dynamic random access memory,动态随机存储器) 

  drdram(direct rambus dram,直接rambus内存) 

  ecc(error checking and correction,错误检查修正) 

  eeprom(electrically erasable programmable rom,电擦写可编程只读存储器) 

  fm: flash memory(快闪存储器) 

  fmd rom (fluorescent material read only memory,荧光质只读存储器) 

  pirom:processor information rom,处理器信息rom 

  pledm: phase-state low electron(hole)-number drive memory 

  qbm(quad band memory,四倍边带内存) 

  rac(rambus asic cell,rambus集成电路单元) 

  ras(row address strobe,行地址控制器) 

  rdram(rambus direct ram,直接型rambusram) 

  rimm(rambus in-line memory modules,rambus内嵌式内存模块) 

  sdr sdram(single date rate,单数据率sdram) 

  sgram(synchronous graphics ram,同步图形随机储存器) 

  so-dimm(small outline dual in-line memory modules,小型双重内嵌式内存模块) 

  spd(serial presence detect,串行存在检查) 

  sram(static random access memory,静态随机存储器) 

  sstl-2(stub series terminated logic-2) 

  tsops(thin small outline packages,超小型封装) 

  uswv(uncacheable, speculative, write-combining非缓冲随机混合写入) 

  vcma(virtual channel memory architecture,虚拟通道内存结构) 

 存储单元

  静态存储单元(SRAM)

  ●存储原理:由触发器存储数据

  ●单元结构:六管NMOS或OS构成

  ●优点:速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低;常用作Cache

  ●缺点:元件数多、集成度低、运行功耗大

  ●常用的SRAM集成芯片:6116(2K×8位),6264(8K×8位),62256(32K×8位),2114(1K×4位)

  动态存储单元(DRAM)

  ●存贮原理:利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理,需刷新(早期:三管基本单元;之后:单管基本单元)

  ●刷新(再生):为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失,必须定时给栅极电容补充电荷的操作

  ●刷新时间:定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间(小于2ms)。

  ●优点: 集成度远高于SRAM、功耗低,价格也低

  ●缺点:因需刷新而使外围电路复杂;刷新也使存取速度较SRAM慢,所以在计算机中,DRAM常用于作主存储器。

  尽管如此,由于DRAM存储单元的结构简单,所用元件少,集成度高,功耗低,所以已成为大容量RAM的主流产品。