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RAM

内存
作为常识来说,我们会先对这个牛肉进行解冻,然后放到一个盆子里备用。这个盆子就是内存了
RAM (random access memory)
CAS# latency (CL)内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间 CAS Column Address Strobe列地址选通脉冲
RAS# to CAS# delay (tRCD)行寻址到列寻址延迟时间
RAS (Row Address Strobe)行地址选通脉冲
RAS# Precharge (tRP)内存行地址控制器预充电时间  4
Cycle Time (tRAS)内存行有效至预充电的最短周期  12
DRAM REF Cycle Time(tRFC)SDRAM行刷新周期时间  16
SPD为Serial Presence Detect 模组存在的串行检测
PPD为Parallel Presence Detect 模组存在的并行检测
JEDEC timings table  CL-tRCD-tRP-tRAS-tRFC @ frequency
JEDEC #1  3.0-3-3-9-12 @ 200 MHz
JEDEC #2  4.0-4-4-12-16 @ 266 MHz
JEDEC #3  5.0-5-5-15-20 @ 333 MHz
一个完整的内存时序(例):7-7-7-20-4-89-10-7-20-0 1T,接下来按顺序对应一一介绍。
1.DRAM CAS Latency(tCL):内存CAS Latency是指“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”,该参数设置对内存带宽影响较大,数值越小内存性能越高,反之越低,内存运行频率越高该参数 通常需要设置越大,根据DDR3内存体质不同,保守设置通常是7-9,也可根据自己内存体质设置不同的Cl值。
2.DRAM RAS to CAS Delay(tRCD):行寻址到列寻址延迟时间,该参数设置也对内存带宽影响较大,数值越小性能越好,保守设置通常是7-9。
3.DRAM RAS PRE Time(tRP):内存行地址控制器预充电时间,该参数设置对内存带宽影响较大,数值数值越小性能越好,保守设置通常是7-9,该数值通常可设置为比DRAM RAS to CAS Delay少1个数值。
4.DRAM RAS ACT Time(tRAS):内存行有效至预充电的最短周期,该数值对内存带宽有微弱的影响,保守设置通常为20-24。
5.DRAM RAS to RAS Delay(tRRD):行单元到行单元的延时,该数值越小越好,建议设置为5-7。
6.DRAM REF Cycle Time(tRFC):SDRAM行刷新周期时间,该数值对内存带宽影响较大,通常设置为60,放宽该参数可适当提升内存超频频率,如当DDR3内存超频到2000MHz以上频率是,建议该数值放宽到88或以上。
7.DRAM WRITE Recovery Time(tWR):写恢复延时,该数值轻微影响内存带宽,通常该参数设置8-12左右即可。
8.DRAM READ to PRE Time(tRTP):内存预充电时间,通常设置8-12之间。
9.DRAM FOUR ACT WIN Time(tFAW):该选项通常设置为Auto即可,对性能以及稳定性影响不大。
10.DRAM Back-To-Back CAS Delay:该数值越小内存性能越好,通常设置为Auto即可,手动设置建议4-6之间。
11.DRAM Timing Mode:内存首命令延迟设定用选项,对内存性能影响较大,放宽到2N(2T)可适当提升内存超频频率,通常设置为1N(1T)。
-1T拥有较少的延迟,较佳的系统内存效能。却较差的兼容性。
-2T拥有较久的延迟、差很多的系统内存较能。较高的兼容性、稳定性。推荐将内存设定为1T能让内存达到最佳效能。
12.对于BIOS中内存时序部分未提及的几项参数,一般设为AUTO即可。
Unbuffered-DIMM Non-ECC Memory DDR3 1333 240pin
Unbuffered-DIMM Non-ECC Memory
EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)电可擦写可编程只读存贮器
JEDEC是电子行业联盟的半导体工业标准化组织。大约300家会员公司提交行业中每一环节的标准,积极合作来发展符合行业需求的标准体系。Kingston是JEDEC的长期会员,并且是JEDEC的理事会成员
内存外观时候看到的标贴。标贴上一般会告诉我们产品参数、产品品牌、料号(P/N)、产品编号(S/N)等信息。
SDRAM、DDR和DDR2的总线位宽为64位,RDRAM位宽为16位。
计算前端总线带宽的公式(带宽=位宽×频率÷8),这个公式对于计算内存带宽同样适用。
直观法:内存代数(DDR2)、内存容量(512MB)、等效频率(800MHz)
位宽延迟法:“1GB PC2-5300 CL5 240-Pin DIMM” PC2表示DDR2的意思,如果是PC则表示DDR,PC后面的数字代表内存是第几代;5300就是指的内存带宽为5.3GB/s,等效频率就等于667MHz
内 存颗粒法:“DDR2 800(5)512M×16” “512M×16”是与它们不同的。“512M”说明这条内存的内存颗粒是512Mb(注意是b)的规格,也就是每一颗内存颗粒是64MB的容 量,“×16”说明这条内存有16颗这样的内存颗粒,64MB×16=1024MB就说明这条内存的总容量为1GB。
第一个数字最为重要,表示读 取命令到第一个输出数据之间的延迟,即CL。这是纵向地址脉冲的反应时间。第二个数字表示从内存行地址到列地址的延迟时间,即tRCD。第三个数字表示内 存行地址控制器预充电时间,即tRP,指内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。第四个数字表示内存行地址控制器激活时间(tRAS)。


来自为知笔记(Wiz)


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