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固态电子学(四)——分析“空穴”和自由电子的形成过程
当在硅中掺入磷P时,P只需要吸收少量的能量,其原子核最外层电子就可以挣脱原子核的束缚,从而形成自由电子,半导体开始导电。此半导体为N型
当在硅中掺入硼B时,硅只需要吸收少量的能量,其核外电子就会去填补周围的“共价键空位”,从而形成空穴。
周围的电子再来填补空穴,如此往复,造成空穴移动的现象。此半导体为P型。
所谓的共价键空位,是指由于B最外层只有三个电子,只能和硅的三个电子形成共价键,硅的第四个电子不能形成共价键,由此叫做“共价键空位”。
N型半导体和P型半导体的导电机制其实是不同的。
N型半导体,是由于磷元素激发出了大量自由电子参与导电
P型半导体,是由于电子不断填补空穴,造成空穴移动的现象,从而导电。其本质仍是电子造成导电的。因为其本质是电子移动,空穴是人造概念。
固态电子学(四)——分析“空穴”和自由电子的形成过程
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