一种智能卡封装框架的电镀方法，属于电子信息技术领域。其特征在于：本发明将成型框架进行前处理之后，再在框架接触层电镀1.8~2.2μm厚的镍层，再在镍层的基础上电镀0.4~0.8μm的磷镍合金层，之后再在框架接触面的磷镍合金层外电镀0.009~0.05μm厚的金层。本发明提高了产品接触表面的耐磨性和抗腐蚀性。本发明可以减少硬金的厚度，并取消后处理的使用，大大节约成本。

1.一种智能卡封装框架的电镀方法，其特征在于，接触层电镀工艺步骤为：
　　1.1、前处理：对成型框架的铜面进行表面清洗，除去铜面上的油脂和杂质；使用活化盐对铜面做活化处理，除掉铜面表面的氧化物；
　　1.2、镀镍：在接触层的铜面上电镀 1.8~2.2 μm 厚的镍层；
　　1.3、镀磷镍：在接触层的镍层上电镀 0.4~0.8 μm 的磷镍合金层；
　　1.4、镀金：在接触层的磷镍合金层上再电镀 0.009~0.05 μm 厚的金层。 焊接层铜面上电镀总厚5±2 μm的镍层与磷镍合金层，再在磷镍合金层上电镀 0.3±0.1 μm厚的金层。

2.根据权利要求1所述的一种智能卡封装框架的电镀方法，其特征在于：所述的步骤1.1前处理采用先做超声振荡再电解除油的工艺，电解除油具体工艺条件为：在45~5°C条件下，使用碱性除油粉配制浓度为60~75g/L的溶液，电解除油电流密度为6~12ASD；浸溃时间为10~20s。
3.根据权利要求1所述的一种智能卡封装框架的电镀方法，其特征在于：所述的步骤1.2镀镍的具体工艺条件为：在铜面电镀1.8~2.2 um厚的镍层，电镀药水成分为氨基磺酸镍90~110g/L，氯化镍10~15g/L，硼酸35~40g/L，镍柔软剂3~5ml/L，镍湿润剂2~4ml/L；PH=3.5~4.0，温度为55~65°C，电流密度控制在10~30ASD。
4.根据权利要求1所述的一种智能卡封装框架的电镀方法，其特征在于：所述的步骤1.3镀磷镍的具体工艺条件为在镍层上电镀0.4~0.8 um的磷镍合金层，电镀药水成分为氨基磺酸镍90~110g/L,氯化镍35~45g/L，硼酸35~40g/L，15~25%的亚磷酸溶液45~55ml/L，温度为50~55°C，PH=L 3~1.7，电流密度控制在5~15ASD。
5.根据权利要求1所述的一种智能卡封装框架的电镀方法，其特征在于：所述的步骤1.2镀镍中在铜面电镀2 um厚的镍层；所述的步骤1.3镀磷镍中在镍层再上电镀0.5 um的磷镍合金层。
6.根据权利要求1所述的一种智能卡封装框架的电镀方法，其特征在于：所述的步骤1.4镀金中在在接触层的磷镍合金层外电镀0.03 um厚的金层。
7.根据权利要求1所述的一种智能卡封装框架的电镀方法，其特征在于：所述的步骤1.4镀金具体工艺为：

　　步骤1、预镀金：进行预镀金，控制预镀金药水的PH=3.6~4.2，温度40~45°C；浸溃时间6~15s，电流密度0.1~0.8ASD；
　　步骤2、镀硬金：在接触层的磷镍合金层上电镀厚度为0.0125~0.05 um的硬金层，控制药水成分中金含量4~6g/L，C0含量在0.85~1.1g/L，控制PH=4.2~5.0，温度为55~5°C，浸溃时间7~20s，电流密度0.18~0.72ASD；
　　镀软金：在焊接层的磷镍合金层上电镀厚度为0.3±0.1um的软金层，控制药水成分中金含量7~9g/L；控制PH=5.5~6.5，温度为60~65 °C，浸溃时间5~15s，电流密度为2. 5~5ASD。

技术领域[0001] 一种智能卡封装框架的电镀方法，属于电子信息技术领域。

背景技术[0002] 智能卡，也称1C卡（1ntegrated C1rcu1t Card,集成电路卡）、智慧卡 (1ntell1gent card)、微电路卡（m1cr0c1rcu1t card)或微芯片卡等。它是将一个微电子芯片嵌入符合1S07816标准的卡基中，做成卡片形式。智能卡是继磁卡之后出现的又一种新型信息工具。一般常见的智能卡采用射频技术与读卡器进行通讯。它成功地解决了无源 (卡中无电源）和免接触这一难题，是电子器件领域的一大突破。主要用于公交、轮渡、地铁的自动收费系统，也应用在门禁管理、身份证明和电子钱包。

[0003] 智能卡工作的基本原理是：射频读写器向智能卡发一组固定频率的电磁波，卡片内有一个LC串联谐振电路，其频率与读写器发射的频率相同，这样在电磁波激励下，LC谐振电路产生共振，从而使电容内有了电荷；在这个电容的另一端，接有一个单向导通的电子泵，将电容内的电荷送到另一个电容内存储，当所积累的电荷达到2V时，此电容可作为电源为其它电路提供工作电压，将卡内数据发射出去或接受读写器的数据。

[0004] 传统的智能卡电镀工序为：除油、活化、电镀半光亮镍、预镀金、镀硬金、镀软金、后处理、热水洗、烘干。这种工序的缺点是制造成本较高，制得的智能卡框架为三层的层状结构，最内层为铜层，中间为镍层，表面为金层。在传统工艺下要求的厚度是：镍接触面：3±1μm，焊接层：5±2μm;金接触面：0.1±0.05 um，焊接层：0.3±0.1 um。否则将达不到要求的抗腐蚀性和耐磨性能。

发明内容[0005] 本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种成本降低的一种智能卡封装框架的电镀方法。
[0006] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：该一种智能卡封装框架的电镀方法，其特征在于，接触层电镀工艺步骤为：
[0007] 1、前处理：对成型框架的铜面进行表面清洗，除去铜面上的油脂和杂质；使用活化盐对铜面做活化处理，除掉铜面的氧化物。
[0008] 2、镀镍：在接触层的铜面上电镀1.8~2.2 um厚的镍层；
[0009] 3、镀磷镍：在接触层的镍层上电镀0.4~0.8 um的磷镍合金层；
[0010] 4、镀金：在接触层的磷镍合金层上再电镀0.009~0.05 um厚的金层。
[0011] 所述的接触层的焊接层铜面上电镀总厚5±2 um的镍层与磷镍合金层，再在磷镍合金层上电镀0.3±0.1 um厚的金层。
[0012] 所述的步骤1前处理采用先做超声振荡再电解除油的工艺，电解除油具体工艺条件为：在55°C条件下，使用碱性除油粉配制浓度为6(T75g/L的溶液，电解除油电流密度为 6~12ASD；浸溃时间为l(T20s。
[0013] 所述的步骤2镀镍的具体工艺条件为：在铜面电镀1.8~2.2 um厚的镍层，电镀药水成分为氨基磺酸镍90~110g/L，氯化镍10~15g/L，硼酸35~40g/L，镍柔软剂3~5ml/L，镍湿润剂2~4ml/L；PH=3.5~4.0，温度为55~65°C，电流密度控制在10~30ASD，浸溃时间控制在 40~50s。

[0014] 所述的步骤3镀磷镍的具体工艺条件为：在镍层上电镀0.4~0.8 um的磷镍合金层电镀药水成分为氨基磺酸镍90~110g/L,氯化镍35~45g/L，硼酸35~40g/L，15~25%的亚磷酸溶液45~55ml/L，温度为50~55°C，PH=L 3~1.7，电流密度控制在5~15ASD，浸溃时间控制在 40~50s。
[0015] 所述的亚磷酸溶液作为磷镍合金添加剂的主要组分。
[0016] 所述的镍柔软剂主要成分为糖精钠。所述的镍湿润剂主要组分为十二烷基磺酸钠。
[0017] 步骤2镀镍所用电镀药水优选昆山轩亨贸易有限公司产品。
[0018] 步骤2活化中所述的活化盐为过硫酸盐和硫酸盐的混合物，活化温度为18?40°C； 浸溃时间为7?15s。活化盐优先使用得力有限公司（Techn1c)的Act9600活化盐或昆山轩亨贸易有限公司ZA-200微蚀剂。
[0019] 优选的，所述的步骤3镀镍中在铜面电镀2 um厚的镍层；优选的，所述的步骤1.4 镀磷镍中在镍层再上电镀0.5 um的磷镍合金层。
[0020] 优选的，所述的步骤5镀金中在在接触层的磷镍合金层外电镀0.03 um厚的金层。
[0021] 所述的步骤5镀金具体工艺为：
[0022] 1)预镀金：进行预镀金，控制预镀金药水的PH=3.6~4.2，温度40~45°C；浸溃时间6~15s，电流密度0.1~0.8ASD；
[0023] 2)镀硬金：在接触层的磷镍合金层上电镀厚度为0.009~0.05 um的硬金层，控制药水成分中氰化金钾4~6g/L，C0含量在0.85~1.1g/L，控制PH=4.2~5.0，温度为55~5°C，浸溃时间7~20s，电流密度0.18~0.72ASD；
[0024] 镀软金：在焊接层的磷镍合金层上电镀厚度为0.3±0.1 μπι的软金层，控制药水成分中氰化金钾7~9g/L；控制PH=5.5~6.5，温度为60~65 °C，浸溃时间5~15s，电流密度为2. 5~5ASD。
[0025] 步骤1)预镀金中药水主要成分为氰化金钾，占1.5~2.5g/L，添加柠檬酸盐作导电盐。
[0026] 步骤2)镀硬金中药水中有硫酸钴和氢氧化钾(质量分数5?10%)的混合物，为药水提供C0；药水中添加柠檬酸盐作开缸剂。
[0027] 乙氧基环丁烷二醇添加剂是为润湿表面，防止阴极的副反应析氢产生针孔。
[0028] 接触层镀金是镀硬金工序完成，接触层表面一个作用是导电，一个作用是需要耐磨，药水中含有C0的成分，在电镀时保证在镀层表面的表面光亮耐磨。而焊接层的软金层则是纯金，有良好的导电性。
[0029] 本发明所用原料均为市售产品，产品型号为市售统一型号。
[0030] 上述一种智能卡封装框架的电镀方法制得的智能卡封装框架的接触层和焊接层均为四层结构，自内向外依次为铜层、镍层、磷镍合金层，金层；其中接触层的镍层厚度为1. 8?2.2 um,磷镍合金层厚度为0.4?0· 8 um,金层厚度为0.009?0.05 um；焊接层镍层与磷镍合金层总厚为5±2 um,金层厚度为0.3±0.1 um。
[0031] 所述的磷镍合金层中磷占质量分数为4%~8%。

[0032] 由于智能卡封装框架具有高精密性与严格的外观要求。本发明将电镀磷镍合金应用于智能卡封装框架工艺，与传统的半光亮镀镍相比，磷镍合金的镀层致密性更加良好，有良好的耐腐蚀性和抗磨耗的物理特性。本发明以一个最佳的磷镍厚度值，减少智能卡第一接触层的硬金膜厚，并且取消常规工艺的后处理，即封孔工艺，利用磷镍合金的优势镀层性能，来替代原常规工艺的为得到表面保护效果所做的措施，来减少生产成本，在之后进行的 96h盐雾试验，产品的表现非常好，通过了盐雾试验，表示其抗腐蚀性完全达到要求：并且第二接触层的焊线性能良好，完全无任何不良影响。
[0033] 本发明方法对传统工序进行了改进，加入了电镀磷镍合金，取消了后处理。本发明针对智能卡框架的对导电性能，耐磨性能，耐腐蚀性能特殊要求在原来镍层和金层之间加镀磷镍合金层，以较小的厚度阻止内层铜层的氧化，并通过控制磷镍合金层的组分保证智能卡框架应有的功能实现。本发明特定组分磷镍合金层的加入可有效防止内层的渗透扩散，从而在外层金层的厚度大大减薄的情况下仍能保证智能卡框架的耐磨性和耐腐蚀性。
[0034] 磷镍可降低成本的机理：对于磷镍来说，磷的作用可以提高镍的致密度，使磷镍镀层的晶格更加致密，从而有利于盐雾的腐蚀.通常在镀金之后也会过一个后保护剂(例如金的封孔剂)，来提高金的致密，钝化金属表面。在使用了磷镍药水之后，那么金的厚度与致密性作用就相对减小，所以可以通过降低金的厚度以及去除金之后的后处理剂来节约成本。
[0035] 与现有技术相比，本发明的一种智能卡封装框架所具有的有益效果是：1、用磷镍合金替换原半光亮镍的中间层，提高了产品接触表面的耐磨性和抗腐蚀性。我们采取电流密度，温度，PH条件的对磷镍合金来说，可以避免磷镍合金有漏镀以及烧焦的可能性，取得性能良好的镀层。通过测试发现，镍与磷镍层结合牢固，无镀层分离的可能性。2、由于磷镍合金镀层的高致密性，所以产品具有良好的物理性能以及化学性能。智能卡的表面接触的硬金层以及工艺中的后处理措施的目的就是对产品的一种保护作用，而采用了磷镍合金， 相应的可以减少硬金的厚度，并取消后处理的使用，大大节约成本。在进行的一系列测试中，去除了后处理以及减少硬金膜厚的产品，盐雾试验表现良好。附图说明

[0036] 图1是一种智能卡封装框架的电镀方法电镀的磷镍层表面5000倍SEM分析。
[0037] 图2是传统半光泽镍表面5000倍SEM分析。
[0038] 图3是一种智能卡封装框架的电镀方法制得产品在NSS中性盐雾试验96h后的测试照片。
[0039] 图4是一种智能卡封装框架的电镀方法制得产品的层状结构示意图。
[0040] 其中，1、铜层2、镍层3、磷镍合金层4、金层5、基材。
[0041] 从图f 3可以看出本发明的产品在电镀磷镍层后更加光滑，盐雾试验检测后产品表面光滑，外观无异常，无腐蚀。具体实施方式
[0042] 下面结合具体实施例对本发明一种智能卡封装框架的电镀方法做进一步说明，其中实施例1为最佳实施例。实施例中所用原料均为市售产品，产品型号为市售统一型号。
[0043] 参照图4 :本发明电镀出的产品的接触层和焊接层均为四层结构，铜层1附着在基材5上，基材5两侧自内向外依次为铜层1、镍层2、磷镍合金层3、金层4。
[0044] 实施例中活化盐使用得力有限公司（Techn1c)的Act9600活化盐或昆山轩亨贸易有限公司ZA-200微蚀剂。其中40CS导电盐、800r0sene-RC开缸剂#l、800r0sene_RC开缸剂#2、800r0sene-RC光亮剂、S-1添加剂、434HS导电盐、434HS电解添加剂、434HS添加剂A、S-1添加剂均为得力有限公司（Techn1c)生产型号，镍湿润剂，镍柔软剂，磷镍合金添加剂由昆山轩亨贸易有限公司提供，为市售统称。

[0045] 实施例1
[0046] 1、前处理：采用了超声振荡以及电解除油的工艺对成型框架的铜面做除油处理，使用碱性除油粉，配制浓度为70g/L的溶液，温度为55°C条件下，控制电解除油电流密度为10ASD；浸溃时间为18s；
[0047] 2、活化：对除油后的铜面做活化处理，采用的70g/L的ZA-200微蚀剂与质量分数3%的硫酸混合溶液，温度35°C条件下浸溃时间为12s；
[0048] 3、镀镍：在成型框架接触层电镀1.Slum厚的镍层，采用了 4个子槽进行镀镍，电镀药水成分为氨基磺酸镍100g/L，氯化镍13g/L，硼酸38g/L，镍柔软剂4ml/L，镍湿润剂3ml/L。PH=3.8，温度为55°C，电流密度控制在18ASD，浸溃时间48s。
[0049] 4、电镀磷镍：在镍层的基础上电镀0.45、.6um的磷镍合金层，采用4个子槽进行电镀，电镀药水成分为氨基磺酸镍100g/L，氯化镍40g/L，硼酸38g/L，磷镍合金添加剂50ml/L，温度为60°C，PH=L 5，电流密度控制在5ASD。相同药水在焊接层铜面上电镀总厚5um的镍层与磷镍合金层，浸溃时间48s。
[0050] 5、预镀金：在接触层的磷镍合金上预镀金，药水成分为金含量2g/L，使用40CS导电盐控制比重9，PH=4.0，温度450C；浸溃时间9s，电流密度0.3ASD；
[0051] 6、镀硬金：在接触层磷镍合金层外镀厚度为0.025、.032 11m的硬金层，药水成分为金含量5g/L，800r0sene-RC开缸剂#1控制比重15，800r0sene-RC开缸剂#2为30g/L，800r0sene-RC光亮剂控制C0含量在1.0g/L，S_l添加剂4ml/L，PH=4.7，温度为60°C，浸溃时间12s，电流密度0.4ASD；
[0052] 7、镀软金：在焊接层磷镍合金层外镀厚度为0.3 y m的软金层，药水成分金含量8g/L，434HS导电盐控制比重在14，434HS电解添加剂30g/L，434HS添加剂A2ml/L，S-1添加剂3ml/L；PH=6.0，温度为65°C，浸溃时间12s,电流密度为3.8ASD。
[0053] 实施例2
[0054] 1、前处理：采用了超声振荡以及电解除油的工艺对成型框架的铜面做除油处理，使用碱性除油粉，配制浓度为70g/L的溶液，温度为55°C条件下，控制电解除油电流密度为12ASD；浸溃时间18s；
[0055] 2、活化：对除油后的铜面做活化处理，采用的75g/L的ZA-200微蚀剂与2%的硫酸混合物，温度32°C条件下浸溃时间为12s；
[0056] 3、镀镍：在成型框架接触层电镀1、.2 U m厚的镍层，采用了 4个子槽进行镀镍，电镀药水成分为氨基磺酸镍100g/L，氯化镍13g/L，硼酸38g/L，镍柔软剂4ml/L，镍湿润剂3ml/L。PH=3.8，温度为55°C，电流密度控制在20ASD，浸溃时间45s。
[0057] 4、电镀磷镍：在镍层的基础上电镀0.35、.45 Um的磷镍合金层，采用4个子槽进行电镀，电镀药水成分为氨基磺酸镍102g/L，氯化镍42g/L，硼酸37g/L，镍磷合金添加剂52ml/L，温度为60°C，PH=1.5，电流密度控制在4.0ASD。相同药水在第二接触层铜面上电镀总厚6 11 m的镍层与磷镍合金层,浸溃时间45s。
[0058] 5、预镀金：在接触层的磷镍合金上预镀金，药水成分为含金量2.2g/L，40CS导电盐控制比重8，PH=3.9，温度430C；浸溃时间12s，电流密度0.4ASD；
[0059] 6、镀硬金：在接触层磷镍合金层外镀厚度为0.0125、.02 U m的硬金层，药水成分为含金量5g/L，800r0sene-RC开缸剂#1控制比重16，800r0sene-RC开缸剂#2为30g/L，800r0sene-RC光亮剂控制C0含量在0.9g/L，S_l添加剂3.5ml/L，PH=4.5，温度为63V，浸溃时间15s,电流密度0.4ASD；
[0060] 7、镀软金：在焊接层磷镍合金层外镀厚度为0.35 y m的软金层，药水成分含金量8.5g/L，434HS导电盐控制比重在14，434HS电解添加剂30g/L，434HS添加剂A2ml/L，S-1添加剂3.2ml/L；PH=6.0，温度为63°C，浸溃时间10s,电流密度为4.4ASD。

[0061] 实施例3
[0062] 1、前处理：采用了超声振荡以及电解除油的工艺对成型框架的铜面做除油处理，使用碱性除油粉，配制浓度为75g/L的溶液，最佳温度为55°C，电解除油最佳电流密度为10ASD；浸溃时间为18s；
[0063] 2、活化：对除油后的铜面做活化处理，采用的75g/L的ZA-200微蚀剂与4%的硫酸混合物，温度30°C条件下浸溃时间为12s；
[0064] 3、镀镍：在基材框架接触层电镀1、.2 U m厚的镍层，采用了 4个子槽进行镀镍，电镀药水成分为氨基磺酸镍100g/L，氯化镍13g/L，硼酸38g/L，镍柔软剂4ml/L，镍湿润剂3ml/L。PH=3.8，温度为55°C，电流密度控制在20ASD，浸溃时间44s。
[0065] 4、电镀磷镍：在镍层的基础上电镀0.42 11m的磷镍合金层，采用4个子槽进行电镀，电镀药水成分为氨基磺酸镍98g/L，氯化镍36g/L，硼酸39g/L，质量分数20%的亚磷酸溶液48ml/L，温度为52°C，PH=L 5，电流密度控制在4.2ASD。相同药水在第二接触层铜面上电镀总厚m的镍层与磷镍合金层，浸溃时间44s。
[0066] 5、预镀金：在接触层的磷镍合金上预镀金，药水成分为含金量2.2g/L，40CS导电盐控制比重10，PH=3.8，温度430C；浸溃时间Hs,电流密度0.5ASD；
[0067] 6、镀硬金：在接触层磷镍合金层外镀厚度为0.009 11m的硬金层，药水成分为含金量5g/L，800r0sene-RC开缸剂#1控制比重16，800r0sene-RC开缸剂#2为30g/L，800r0sene-RC光亮剂控制C0含量在1.0g/L，S_l添加剂4.5ml/L，PH=4.8，温度为62°C，浸溃时间14s,电流密度0.2ASD；
[0068] 7、镀软金：在焊接层磷镍合金层外镀厚度为0.35 y m的软金层，药水成分含金量8.5g/L，434HS导电盐控制比重在15，434HS电解添加剂30g/L，434HS添加剂A2ml/L，S-1添加剂3.5ml/L；PH=6.0，温度为62°C，浸溃时间10s,电流密度为4.4ASD。

[0069] 实施例4
[0070] 1、前处理：采用了超声振荡以及电解除油的工艺对成型框架的铜面做除油处理，使用碱性除油粉，配制浓度为66g/L的溶液，温度为55°C，电解除油最佳电流密度为9ASD；浸溃时间为 19s；
[0071] 2、活化：对除油后的铜面做活化处理，采用的70g/L的ZA-200微蚀剂与质量分数3%的硫酸混合溶液，温度40°C条件下浸溃时间为9s；
[0072] 3、镀镍：在成型框架接触层电镀2pm厚的镍层，采用了 4个子槽进行镀镍，电镀药水成分为氨基磺酸镍105g/L，氯化镍14g/L，硼酸36g/L，糖精钠4.5ml/L，十二烷基磺酸钠3ml/L (质量分数10%)。PH=3.9，温度为56°C，电流密度控制在18ASD，浸溃时间48s。
[0073] 4、电镀磷镍：在镍层的基础上电镀0.4 11m的磷镍合金层，采用4个子槽进行电镀，电镀药水成分为氨基磺酸镍105g/L，氯化镍43g/L，硼酸36g/L，质量分数10%的亚磷酸溶液46ml/L，温度为52°C，PH=L 5，电流密度控制在4ASD。相同药水在焊接层铜面上电镀总厚3 11 m的镍层与磷镍合金层,浸溃时间48s。
[0074] 5、预镀金：在接触层的磷镍合金上预镀金，药水成分为含金量2g/L，40CS导电盐控制最佳比重9，PH=4.0，温度450C；浸溃时间9s,电流密度0.3ASD；
[0075] 6、镀硬金：在接触层磷镍合金层外镀厚度为0.032 11m的硬金层，药水成分为含金量5g/L，800r0sene-RC开缸剂#1控制比重16，800r0sene-RC开缸剂#2为30g/L，800r0sene-RC光亮剂控制C0含量在1.0g/L，S_l添加剂4ml/L，PH=4.4，温度为60°C，浸溃时间13s，电流密度0.46ASD；
[0076] 7、镀软金：在焊接层磷镍合金层外镀厚度为0.2 y m的软金层，药水成分含金量8g/L，434HS导电盐控制比重在14，434HS电解添加剂30g/L，434HS添加剂A2ml/L，S-1添加剂3ml/L；PH=6.0，温度为65°C，浸溃时间9s，电流密度为2.0ASD。

[0077] 实施例5
[0078] 1、前处理：采用了超声振荡以及电解除油的工艺对成型框架的铜面做除油处理，使用碱性除油粉，最佳浓度为75g/L，最佳温度为55°C，电解除油最佳电流密度为12ASD；浸溃时间为20s；
[0079] 2、活化：对除油后的铜面做活化处理，采用ACT9600活化盐，温度18°C条件下浸溃时间为15s；
[0080] 3、镀镍：在成型框架接触层电镀2 Pm厚的镍层，采用了 4个子槽进行镀镍，电镀药水成分为氨基磺酸镍110g/L，氯化镍15g/L，硼酸40g/L，糖精钠5ml/L，十二烷基磺酸钠2?4ml/L (质量分数15%)。PH=4.0，温度为55°C，电流密度控制在18ASD，浸溃时间48s。
[0081] 4、电镀磷镍：在镍层的基础上电镀0.4 11m的磷镍合金层，采用4个子槽进行电镀，电镀药水成分为氨基磺酸镍110g/L，氯化镍45g/L，硼酸40g/L，质量分数25%的亚磷酸溶液55ml/L，温度为50°C，PH=L 3，电流密度控制在4ASD。相同药水在焊接层铜面上电镀总厚7 y m的镍层与磷镍合金层，浸溃时间48s。
[0082] 5、预镀金：在接触层的磷镍合金上预镀金，药水成分为含金量2.5g/L，40CS导电盐控制比重6，PH=4.2，温度450C；浸溃时间6s，电流密度0.8ASD；
[0083] 6、镀硬金：在接触层磷镍合金层外镀厚度为0.05 11m的硬金层，药水成分为含金量 6g/L，800r0sene-RC 开缸剂 #1 控制比重 18，800r0sene_RC 开缸剂 #2 为 30g/L,800r0sene-RC光亮剂控制C0含量在1.lg/L，S_l添加剂5.5ml/L，PH=5.0，温度为55°C，浸溃时间7s，电流密度0.72ASD；
[0084] 7、镀软金：在焊接层磷镍合金层外镀厚度为0.4 y m的软金层，药水成分含金量9g/L，434HS导电盐控制比重在18，434HS电解添加剂30g/L，434HS添加剂A2ml/L，S-1添加剂5ml/L；PH=6.5，温度为65°C，浸溃时间5s，电流密度为5ASD。

[0085] 实施例6

[0086] 1、前 处理：采用了超声振荡以及电解除油的工艺对框架的铜基做除油处理，使用碱性除油粉，最佳浓度为60g/L，最佳温度为55°C，电解除油最佳电流密度为6ASD；浸溃时间为10s；
[0087] 2、活化：对除油后的铜基做活化处理，采用ACT9600活化盐，温度30°C条件下浸溃时间为7s；
[0088] 3、镀镍：在成型框架接触层电镀2pm厚的镍层，采用了 4个子槽进行镀镍，电镀药水成分为氨基磺酸镍90g/L，氯化镍10g/L，硼酸35g/L，糖精钠3ml/L，十二烷基磺酸钠2ml/L (质量分数5%)。PH=4.0，温度为65°C，电流密度控制在18ASD，浸溃时间48s。
[0089] 4、电镀磷镍：在镍层的基础上电镀0.8 11m的磷镍合金层，采用4个子槽进行电镀，电镀药水成分为氨基磺酸镍90g/L，氯化镍35g/L，硼酸35g/L，质量分数15%的亚磷酸溶液45ml/L，温度为55°C，PH=L 7，电流密度控制在8ASD，浸溃时间48s。
[0090] 5、预镀金：在接触层的磷镍合金上预镀金，药水成分为含金量1.5g/L，40CS导电盐控制比重6，PH=3.6，温度400C；浸溃时间15s，电流密度0.1ASD；
[0091] 6、镀硬金：在接触层磷镍合金层外镀厚度为0.0125 11m的硬金层，药水成分为含金量4g/L，800r0sene-RC开缸剂#1控制比重12，800r0sene-RC开缸剂#2为30g/L,800r0sene-RC 光亮剂控制 C0 含量在 0.85g/L，S-1 添加剂 2.5ml/L, PH=5.0，温度为 65。。，浸溃时间20s，电流密度0.18ASD。
[0092] 7、镀软金：在焊接层磷镍合金层外镀厚度为0.4 y m的软金层，药水成分含金量9g/L，434HS导电盐控制比重在15，434HS电解添加剂30g/L，434HS添加剂A2ml/L，S-1添加剂5ml/L；PH=6.5，温度为65°C，浸溃时间5.5s,电流密度为4.5ASD。
[0093] 表1 :实施例1飞电镀方法制得的智能卡封装框架的检测，传统产品广3为市售普通产品，其中传统产品广2做过封孔处理，传统产品3未做封孔处理。电镀层为三层，无磷镍层，正常镀金厚度(接触层：0.l±0.0511m，焊接层：0.3 ±0.111m)。所做盐雾试验为NSS中性盐雾试验。以随机选取的两组传统方法得到的产品做对比试验。

[0096] 从表1可以看出本发明得到的产品在第一接触层硬金层厚度大大减少的情况下接触表面的耐磨性和抗腐蚀性均已达到甚至超过传统技术的效果。

[0097] 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。